TRANSISTOR DE PUISSANCE IGBT FGA25N120 1200V 313W G4W64997 EUR 6,55 - FR

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TRANSISTOR DE PUISSANCE IGBT FGA25N120 1200V 313W G4W64997 EUR 6,55 - FR

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Description

Perte de puissance : 313 W (à 25 °C) Composant électronique Puissance Onduleur TRANSISTOR DE PUISSANCE IGBT FGA25N120 1200V 313W G4W64997 EUR 6,55 - FR FGA25N120 Paramètres Serrés Ce transistor de puissance est conçu pour les commandes de moteur, les onduleurs et les blocs d'alimentation à découpage. Principaux points forts · Temps de résistance aux courts-circuits: 10 · DC : 46 V (à 25 ℃), 25 V (à 100 ℃) · Tension de l'émetteur Paquet : TO-247AC Longueur de la broche : env., 0,8 kg. Dimensions totales (L x l x P) : env., 1,6 x 0,6 x 0,2., Contenu de la livraison : 1 transistor de puissance FGA25N120 2 transistores de potencia IGBT 1200 V 313 W FGA25N120 | Bodega Aurrera... Temps de résistance aux courts-circuits : 10 US. Conçu pour les commandes de moteur, les onduleurs, les alimentations à découpage. Courant du collecteur CC : 46 V (à 25 ℃), 25 V (à 100 ℃) FGA25N120 datasheet(1/9 Pages) ONSEMI | 1200 V, 25 A NPT Trench IGBT Tension du collecteur émetteur : 1200 V. Conçu pour les commandes de moteur, les onduleurs, les alimentations à découpage

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